工藝和設(shè)計能力
01 先進的工藝技術(shù)
- 寬電壓范圍：-100VDS至200VDS溝槽MOS，200VDS至1500VDS平面MOS，600至800V超結(jié)MOS, 600V至1200V IGBT
- 低內(nèi)阻，高集成度，降低功耗：0.12 mΩ/cm2, world class RDS *Area ?133Mcell/in2 closed cell density.
- 優(yōu)異的開關(guān)特性：World class RG, Qg, trr, Crss / Ciss
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02 先進的封裝技術(shù)
- 出貨 >100MU/Mo of 工業(yè)級封裝 | 持續(xù)開發(fā)更新的封裝
03 設(shè)計公司+晶圓代工模式
- 使用8寸&12寸晶圓制造產(chǎn)品 | 高集成度產(chǎn)品制造能力 | 高可靠性，相對低的成本 利用先進的設(shè)備平臺，使用先進的生產(chǎn)工藝
封裝能力
恩博芯專注于通過應(yīng)用更先進的bonding技術(shù)，開發(fā)更大電流和更低導(dǎo)通阻抗的產(chǎn)品 !?
Cu Wire Bonding
Al Wire Bonding
Ribbon Bonding
Cu Clip Bonding
